最新公布的2024年中国第三代半导体技术十大进展显示，中国在第三代半导体的研发上取得了重大突破，多所院校立功。4 Y9 c7 U. z+ v, T- c
7 l4 M3 U# L3 T. o1 ?西安电子科技大学：郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队在6—8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术上实现重大突破。成果成功应用于功率半导体系列产品中。 西电在半导体领域实力雄厚尤其宽禁带半导体领域领先全国，第五轮学科评估信息与通信工程，电子科学与技术A+。是全国首批9所设有国家示范性微电子学院、首批9所设有国家集成电路人才培养基地，拥有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室、 西安交通大学：王宏兴教授研究团队成功实现2英寸异质外延单晶金刚石自支撑衬底国产化，并成功实现批量化生产，标志着我国在金刚石超宽禁带半导体材料领域的研究已达到国际领先水平。西交拥有电子物理与器件教育部重点实验室，王宏兴教授即为实验室主任。第四轮学科评估，电子科学A-。 南京大学：南京大学与厦门大学、合肥工业大学、厦门市未来显示研究院、天马微电子公司共同研制出国际上首款RGB全氮化物芯片的TFT基Micro-LED全彩显示屏，首次成功完成了新全彩技术方案验证。
: s( k* }7 t6 v- n* s南大拥有自旋芯片与技术全国重点实验室、半导体节能器材及材料国家地方联合工程中心、光电材料与芯片技术教育部工程研究中心等等科研平台。第四轮学科评估物理A，电子科学A-，第五轮取得更大进步。 南京大学参与研究的氮化镓基蓝光激光器关键技术取得产业化突破。产品达到国际先进水平，国产化率达到50%以上。 北京大学：许福军、沈波团队创新提出AlGaN基深紫外LED研制的新技术路线，成功实现了高性能垂直注入器件的晶圆级制备。 王新强、王涛与美国橡树岭国家实验室Lucas Lindsay教授合作，实现了对GaN棱柱状堆垛层错（PSF）中缺陷局域声子的原子尺度观测。 两个项目均入选，体现了北大在半导体研究领域的强势地位。第四轮学科评估，物理学A+，电子科学A。 香港科技大学/南方科技大学：由思坦科技与南方科技大学、香港科技大学、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合攻关的重大成果——基于高功率 AlGaN 深紫外 Micro-LED 显示的无掩膜光刻技术取得重大突破，标志着半导体行业的制造工艺即将迎来革命性进展。港科大拥有先进 显示与光电子技术国家重点实验室、芯片中央实验室等等。 中国科学技术大学：研制出千伏级氧化镓垂直槽栅晶体管。该研究成果获得功率器件领域最具影响力的顶会IEEE ISPSD唯一最佳海报奖。IEEE ISPSD 被认为是功率半导体器件和集成电路领域的奥林匹克会议。
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发表于 2024-12-8 17:45:23
发表于 2024-12-8 18:11:01
