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发表于 2024-12-31 08:22:50
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在预脉冲技术的推动下,ASML的EUV光源功率在过去十年保持了线性增长。第一代EUV验证机型NXE3100光刻机曝光功率仅有10W左右,其产能仅为8-10片晶圆/小时。2018年Cymer将功率提升到250W,NXE3400B光刻机的产能是155片/小时,而NXE3400C的产能提高到170片/小时。通过采用新的1微米激光预脉冲,ASML已经实现闭环600W,开环700W的创纪录的EUV功率!LPP EUV光源在未来3-5年很可能突破千瓦级大关,直指1nm芯片节点。
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中国的EUV光源一方面可以跳过没有头绪的漫长理论摸索,另一方面可以基于最新的技术进展来直接开展实用工程化研究,大幅度缩短了进程。2 s' M6 i" ~9 @/ T8 J
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公开信息显示,哈尔滨工业大学负责的DPP-EUV光源已经达到实用化的120W的水平,这相当不容易。虽然DPP整体方案看似比LPP简单得多,但当年Cymer无法提升功率只好放弃DPP转向LPP。2023年4月13日下午,中国科学院院士、中国科学院前院长白春礼到长春光机所调研了EUV光源,相信这是结合哈工大DPP EUV光源和长春光机所的高精度弧形反射镜系统的EUV光源工程样机。DPP方案可以避开当前LLP-EUV的专利壁垒,同时与未来的加速器光源方案有一定的继承性。# f- D( P7 P0 z1 W3 h' f$ X" s: O$ x
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关于EUV反射收集镜,中国出乎意料的有技术底蕴。早在2015年,中国长春光机所就已经研发出了EUV高精度弧形反射镜系统,多层镀膜面形误差小于0.1nm,只是镀膜设备采购自海外,被禁售制裁导致镀膜装置无法生产。2021年7月,中科院旗下中科科美成功研发出镀膜精度控制在0.1nm以内的直线式劳埃透镜镀膜装置及纳米聚焦镜镀膜装置,已经可以满足了EUV反射收集镜的要求,未来将镀膜精度继续提升到0.05纳米也完全有可能。$ q& {) c3 _% y5 H) s1 ~
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中科院上海光机所则负责LPP方案的攻关,据当前公开的研究进展情况,LPP EUV光源IF功率达到了188W,转换效率为3.7%,同样也能够进入实用化,而且专门设置的磁镜装置可以产生非均匀磁场对等离子体进行约束,从而抑制锡碎屑对光学元件造成的污染。但LPP EUV所需的脉冲大功率二氧化碳激光器,我国长期处于落后局面。20KW以上二氧化碳激光器只有美国和日本的几家企业能够生产,且依据瓦森纳协定对中国禁售。所以LPP方案虽然ASML已经充分验证,看似路径明确,但对中国来说待攻关的技术点多,专利壁垒深厚,挑战反而更大。即使成功,也不过是亦步亦趋跟随ASML,很难做到超越。 W7 J6 [. h6 T+ f ^
" p* ~0 e V& L' s广东智能机器研究院与华中科技大学,在尝试采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶,绕开超高功率、超高重频二氧化碳激光器这个路线,400路光纤激光器和分时束照射装置理论上可以实现数倍于ASML LPP的光源转换效率。0 V8 W6 E& s% `6 ~! h7 W3 d7 q
7 p* y5 a+ m. s4 ]! j- x最后一个方案则是路线最为创新、最为颠覆性的加速器光源SSMB-EUV,即稳态微聚束极紫外光源路线,由清华大学主导。# u) J# p+ n$ U; W
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只是加速器光源最大的弱点是非常昂贵,而SSMB贵上加贵,另外体积也太大,适合建设为国家级的EUV光源研究和生产的基础设施。' X/ H, m: u+ b# d- F) p# M# l
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我国的加速器光源的基础建设完全是国际水平。同步辐射上海光源于2004年2月立项,于2009年4月完成调试并向用户开放。自由电子激光大连相干光源于2012年初正式启动,2016年9月24日首次出光。而世界上亮度最高的第四代同步辐射光源,怀柔科学城的国家重大科技基础设施,高能同步辐射光源HEPS于2019年6月启动建设,中科院高能所承担,建设周期6.5年,与我国现有的光源形成能区互补。由清华大学主导的SSMB,已经在雄安选址开工建设1千瓦级SSMB-EUV光源,投资在10亿量级。, ~7 [4 ~- c# q4 c
8 w( K0 C. v% Z当然,SSMB技术进展不可能赶上首台国产EUV光刻机,尽快达成实用工程化还得指望上海光机所的LPP-EUV或者哈工大的DPP-EUV。: K) c7 {9 t. o6 ~8 h% w
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