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发表于 2025-11-25 20:50:05
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西安电子科技大学郝跃院士团队张进成教授课题组在超宽禁带半导体氧化镓(Ga₂O₃)射频器件研究中取得重要突破,创造了该类型器件性能的新纪录:最高振荡频率达90 GHz,在6 GHz频率下输出功率密度达到4.1 W/mm,并首次展现了氧化镓射频器件的低噪声潜力—在8 GHz下最小噪声系数仅为0.48 dB。6 w, z0 ?. X. @/ z$ ^' q
该成果以“Heterogeneous integration of ultrawide bandgap semiconductors for radio frequency power devices”为题,发表于国际顶级综合期刊《Science Advances》(Sci. Adv. 2025, 11, eadw6167 (2025)),并被选为同期封面论文之一。西安电子科技大学为论文第一作者单位和通讯作者单位,第一作者为周弘教授,通讯作者为张进成教授、香港大学张宇昊教授以及西电周敏博士。合作单位包括上海交通大学和美国弗吉尼亚理工大学。此外,前期研究成果入选国际微电子领域顶级会议(IEDM 2023,VLSI 2024),并受邀在国际知名行业杂志《Compound Semiconductor》专栏报道,标志着我校在超宽禁带半导体射频领域的持续原始创新突破并具备国际领先水平。 |
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