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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:7 w* \/ x+ w) X$ ~
$ S, ?2 i. M L4 u* T氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频6 L ]5 c4 Z0 \. t
氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;! P: h) m( M4 R0 o+ T" Y# O0 p
碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士7 I* r6 Z2 C2 J2 O- b% ~
碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
& z4 j7 R' G5 r* P' |氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马
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其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院$ D- l- B3 A; _- K; U7 j
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