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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:/ Z: H! T6 w5 X! B6 ^! Q; h
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氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频
- q! B( ~4 ]& m9 U6 H! E氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;- q5 \" ]5 U* u( q( K0 f
碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士0 T/ }9 S8 R2 O* N, p: v4 W1 |5 T( N
碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
3 V3 n% e9 E6 I0 ~2 U1 N氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马3 x: M; O( Z2 z9 ^6 ~" o
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其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院' J( z) u8 o6 N& l) v% j' j
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