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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:0 p& F# H8 `$ j m x6 a
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氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频
, u. r% d! }$ h: b$ W( P/ p0 f氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;
$ m* A# i. h0 J. h+ n- ^5 Y% J6 d碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士9 y* F L& m# m0 O3 n: {9 D
碳化硅有点复杂,里面有一部分军工4 n9 M, P2 t# M8 B
氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马
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其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院* g2 I4 [4 M3 E
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