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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:5 p8 G; r* ~( J. f/ X- t& K! V9 |6 U
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氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频
7 |9 X+ s7 x- j% {氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;! ~# x9 W8 b3 d7 c5 ^
碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士* R# ?1 T ?. b' H$ A) \3 [
碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
0 d7 i! m- V8 k0 b4 K* p; u氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马7 `) V2 ]& K) m
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其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院7 E" @" J6 }2 @% i
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