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发表于 2025-8-22 11:00:29
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西电有宽禁带半导体器件与集成技术全国重点实验室,搬运西电论坛关于宽禁带半导体材料名额讨论:2 w& i3 P6 f- R# c* O+ e) \# c
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氮化镓材料的生长郝院士那个时候已经算国内突破了,后面就是在做产业化规模化,比如张去年的八英寸和马的射频
$ @% g- [9 n% S" u" |氧化镓18年刚做出来第一个器件,这几年国自然还属于重点资助领域;
" W6 w( u* x9 |. X) V% O碳基北大彭还是一人独秀,养不出来第二个院士% L. m1 K! t6 m" w, J' r N/ Z
碳化硅有点复杂,里面有一部分军工
3 ^/ q7 h+ ?& j" d, A氮化镓这个领域 也就是 北大沈波和马8 r' k; u- q6 k$ A9 M7 Y V
- ]- ^- T0 m( i# w; y3 `6 D其他讨论到的相关人选有中科院李晋闽、山大陶绪堂;13,55所有实力选手,但估计去工程院- ?0 J! ?( H* i6 p& _) D- {* d9 I
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