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发表于 2025-12-12 15:34:52
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2025年度中国第三代半导体技术十大进展
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1、全系列12英寸碳化硅衬底全球首发
9 d' k0 v( r2 R8 \1 @. \; ? L山东天岳先进科技股份有限公司" w2 H; q( u5 v( h$ E: x! V
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2、万伏级碳化硅MOSFET器件的研制及其产业化技术
5 ^5 K- U9 X& D- F& P浙江大学盛况团队0 r$ I5 b' P% @
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3、基于氮化镓 Micro-LED的高速,低功耗光通信芯片技术
2 Y2 [, Q" V) o, b$ \ s" \7 ?南京大学、复旦大学、厦门大学、吉林大学、南京邮电大学、国家第三代半导体技术创新中心(苏州); H8 h4 S0 d" k
2 r5 u g. I( Y Q4、8英寸氧化镓单晶及衬底制备实现重大突破( u Y, L; Y' o q8 T3 ?3 a
杭州镓仁半导体有限公司.
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# t0 P6 [; Q% V4 w. Q5、低位错密度12英寸碳化硅单晶生长及激光剥离技术# @. b9 |) l1 B* y9 U. d
山东大学徐现刚团队' ]$ L& \: f4 D$ g* \; r
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6、8英寸碳化硅Trench MOSFET功率器件设计与工艺开发! `& x8 C+ W9 o" V3 o, U
深圳平湖实验室、深圳市鹏进高科技有限公司
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: o: o( y7 X8 O3 J* m8 s) g7、国产化Micro LED专用MOCVD设备产业化技术重大突破
* n8 W# g/ n3 V$ p; ?0 i三安光电、中微公司 6 N+ l( y- t6 H" g& p3 K' j
9 |# T% ^; b- @) P5 Y5 |8、AlGaN基远紫外光源芯片发光效率增强关键技术研究
8 d2 ?- h3 \, D- S; h, N5 P华中科技大学、华中科技大学鄂州工研院技术研究院、优炜芯: a$ q- O: [, }
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9、III族氮化物半导体强极化的实验测定) h8 I" o7 I) u" ^
北京大学、华东师范大学联合研究团队
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) i$ ^' p" j, ~( I$ r10、氮化镓基Micro-LED微显示集成芯片技术
^- F2 a7 U/ c6 t' ~南京大学、厦门大学、元旭半导体、国兆光电5 b. N% G' o% [6 R- y" M( n9 p
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http://www.casa-china.cn/plus/view.php?aid=987 |
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