本帖最后由 己不欲,勿施人 于 2025-4-16 23:38 编辑 , b7 d! L; r3 c; b; X1 ~
8 y6 P: Y$ s4 D! I时隔2周,继二维半导体芯片之后复旦集成电路领域再获关键突破: - y6 O# s# H2 a* H5 s* N
复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院周鹏-刘春森团队通过构建准二维泊松模型,在理论上预测了超注入现象,打破了现有存储速度的理论极限。研制“破晓(PoX)”皮秒闪存器件,其擦写速度可提升至亚1纳秒(400皮秒),相当于每秒可执行25亿次操作是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术。相关成果以《亚纳秒超注入闪存》(Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection)为题于北京时间4月16日晚间在《自然》(Nature)期刊上发表。 # ]& D; ~6 d# ~. A2 Y, ^4 u! v
这是迄今为止世界上最快的半导体电荷存储技术,实现了存储、计算速度相当,在完成规模化集成后有望彻底颠覆现有的存储器架构。在该技术基础上,未来的个人电脑将不存在内存和外存的概念,无需分层存储,还能实现AI大模型的本地部署。 https://www.nature.com/articles/s41586-025-08839-w* s7 X" B- p* E; ^
微电子周鹏教授今年连发两篇N,他的团队骨干比较年轻。 |