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发表于 2026-3-25 20:59:21
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近日，法国Yole Group旗下全球知名知识产权战略咨询机构KnowMade发布《氮化镓（GaN）电子专利检测报告》，对全球氮化镓（GaN）专利的动态格局进行跟踪报告和深入解析。2025年度Q1-Q3的报告显示氮化镓功率和射频器件相关的专利活动依然活跃，其中西安电子科技大学在氮化镓领域的新增专利申请量和授权量均居全球第一，新增氮化镓专利申请量占全球新增数量的近10%，且呈现出持续增长的趋势。0 U' b4 B' d3 C" y" R
- F9 ^& q' Q. b# C* O, n2025年Q2、Q3全球GaN领域专利布局数据分析（数据来源于KnowMade）西安电子科技大学是国内最早从事宽禁带半导体GaN研究的机构之一，在郝跃院士的带领下持续开展GaN射频和功率等领域的技术创新与知识产权布局，全球GaN领域的专利持有量长期保持领先地位。近年来，依托宽禁带半导体国家工程研究中心、全国重点实验室等国家级创新平台，进一步加强在宽禁带半导体领域的技术创新、产业转化和产教融合人才培养工作，在大功率GaN固态微波、宽禁带半导体功率电子、低成本硅基氮化镓等技术创新和产业应用方面取得了一系列突破，相关成果获得国家科技进步一等奖等多项国家级和省部级奖励。, ^4 a) C; g2 K8 a5 d' I: K; S1 A3 O
0 g* [/ u+ l! @2 E# Y4 j/ x多年来，西安电子科技大学郝跃院士团队深耕领域核心技术攻关，构建了从基础理论研究、关键技术突破到专利布局、产业落地的全链条创新体系。依托国家级科研平台的优势，推动技术成果从实验室走向产业化应用，为我国宽禁带半导体产业自主可控、高质量发展提供了坚实支撑，也为全球半导体技术进步贡献了重要的中国智慧与高校力量。 |
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发表于 2026-3-16 20:38:18
