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发表于 2024-1-9 20:27:55
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徐现刚教授团队
- M6 t+ V( m2 J" j; N! C: e; [; G
, G1 g0 b5 m! J- B" ?5 N: K0 I# e国产碳化硅材料应用中衬底成本是应用核心问题。8 英寸碳化硅衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面拥有巨大的潜力,成为行业重要的技术发展方向。近年来SiC 衬底厂商加速推进8 英寸衬底的研发和量产进度,以抢占8英寸先机。国内衬底产业正面临着6英寸到8英寸转化的关键节点。国产8英寸碳化硅衬底制备技术在过去一年取得了重要突破。. r9 R" P& E9 N+ a# v4 \3 i
特别是在8英寸碳化硅衬底位错缺陷控制方面,山东大学和南砂晶圆报道了利用物理气相传输法(PVT)制备低位错密度8英寸导电型碳化硅单晶衬底的结果,其中螺位错(TSD)密度为0.55 cm-2,基平面位错(BPD)密度为202 cm-2,标志着国产8英寸碳化硅单晶衬底位错缺陷控制已经达到了国际一流水平。 |
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