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发表于 2025-3-23 10:04:33
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haiwangxing 发表于 2025-1-1 00:41- _# Y( p3 m% k- e% j8 L0 R
重大重点科研项目：
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计算机：重大重点类项目 6 项，其中重优基金 1 项（重大项目，全国 10 项）、重点研发 ...
- v! P1 m- W6 G( r先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心$ u) n9 W9 G+ ~& a# a8 T
* b* \4 h0 w, F- o一、基本概况7 F) S A7 ` g! P
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2024年教育部批准成立。中心依托电子科技大学集成电路科学与工程学院，聚焦国家高端芯片发展规划，面向卫星通信、航空航天、新型能源、智能电网以及轨道交通对高频、大功率器件与集成芯片的迫切需求，聚焦宽禁带半导体功率/射频器件与集成技术，突破大尺寸高质量的材料生长、新型功率器件与系统集成方法、先进射频器件与电路设计以及封装等方向的研究，结合高校的原始创新研究和企业的实践创新平台及市场敏感度，加强产教融合与科教融汇，加快创新人才培养、加速先进功率/射频芯片国产化、推动宽禁带半导体产业发展。 G" c3 m9 P0 F; S+ n5 ~7 N: q0 {5 Q
[) S& L" [+ W H- G9 K中心主任：罗小蓉 教授$ ~3 b$ U/ M. v' E5 o
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技术委员会主任：苏东林院士: i9 t! L. t% R0 y% n
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二、人才队伍情况' i! o8 I5 }2 B2 e
' d: @' K: W# V- N0 X中心现有固定人员50余人，其中入选国家级人才计划15人，高级职称人员48人，在站博士后6人，博士研究生69人，人员队伍结构合理，形成了“首席科学家-学术带头人-中青年骨干-核心研究员”的人才梯度模式。
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三、研究方向; U A' M9 w9 l/ K) C/ _
# }# j1 E. o( X: D研究方向1：大尺寸高质量宽禁带半导体材料生长
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6 I* {! }4 H& ] l8 w研究方向2：新型功率器件与系统集成/ v$ T5 h. m$ @2 \7 w( x( I7 C. V$ n
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研究方向3：先进微波/毫米波器件与集成电路+ Q; g. W- l: O; B
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研究方向4：先进封装与可靠性分析2 B9 O" S) P1 e+ Q8 T
& i3 {3 H+ B4 N0 {( ^. E/ G/ B四、科研条件& I* R) }- A7 }2 s7 u
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中心现有研发场地超5000平方米，目前已经拥有功率/射频器件及集成电路仿真设计平台、功率/射频器件参数晶圆级测试平台、功率/射频半导体器件与集成电路参数测试专用平台、功率/射频半导体器件及集成电路封装及可靠性分析平台等。
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+ p( R, {2 Z' M7 s& R4 Z W/ E五、科研成果
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中心在功率/射频器件与集成领域的顶级期刊、会议上累计发表学术论文超过1000篇，主办和协办多个域内顶级国际、国内会议，其中2013年以来中心在功率半导体全球最顶级的学术年会IEEE ISPSD上发表论文数居全球第一。
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近年来，中心先后承担国家重点研发计划、重大专项、973/173重点项目（课题）以及国家自然科学基金重点项目40余项，研究成果广泛应用于民口装备以及消费电子领域，获得国家级、省部级科技成果奖励30余项，培养出国家级杰出人才和青年人才近20人。与龙头企业华为、中兴、华润微电子、华虹宏力及中国电子科技集团各研究所等相关企业联合开发100余款量产功率/射频产品，广泛应用于汽车电子、工业控制等民用产品中，取得重大社会效益和突出经济效益。 |
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发表于 2025-3-21 18:03:16
