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发表于 2025-3-23 10:04:33
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haiwangxing 发表于 2025-1-1 00:419 q6 d- ^6 t4 T3 \9 S* t( y
重大重点科研项目：4 }6 L* P# p+ v# Z& @
6 `" H/ J3 h2 Y$ J6 F0 o# m' t计算机：重大重点类项目 6 项，其中重优基金 1 项（重大项目，全国 10 项）、重点研发 ...
先进功率和射频器件与集成教育部工程研究中心
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一、基本概况/ M% f# A9 @0 ~
( F7 b3 L0 L) s2024年教育部批准成立。中心依托电子科技大学集成电路科学与工程学院，聚焦国家高端芯片发展规划，面向卫星通信、航空航天、新型能源、智能电网以及轨道交通对高频、大功率器件与集成芯片的迫切需求，聚焦宽禁带半导体功率/射频器件与集成技术，突破大尺寸高质量的材料生长、新型功率器件与系统集成方法、先进射频器件与电路设计以及封装等方向的研究，结合高校的原始创新研究和企业的实践创新平台及市场敏感度，加强产教融合与科教融汇，加快创新人才培养、加速先进功率/射频芯片国产化、推动宽禁带半导体产业发展。
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中心主任：罗小蓉 教授
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技术委员会主任：苏东林院士
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% Z9 `7 V0 G# F- I t二、人才队伍情况' j5 y2 N$ A+ `7 T
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中心现有固定人员50余人，其中入选国家级人才计划15人，高级职称人员48人，在站博士后6人，博士研究生69人，人员队伍结构合理，形成了“首席科学家-学术带头人-中青年骨干-核心研究员”的人才梯度模式。
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& s+ `" J8 k' z; }三、研究方向! m1 Y5 i5 `5 R( T, S6 {
7 ~9 k( x0 s, \% [ e研究方向1：大尺寸高质量宽禁带半导体材料生长
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研究方向2：新型功率器件与系统集成
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研究方向3：先进微波/毫米波器件与集成电路
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研究方向4：先进封装与可靠性分析
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四、科研条件/ }% g( p; z/ M( b# t$ h! q
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中心现有研发场地超5000平方米，目前已经拥有功率/射频器件及集成电路仿真设计平台、功率/射频器件参数晶圆级测试平台、功率/射频半导体器件与集成电路参数测试专用平台、功率/射频半导体器件及集成电路封装及可靠性分析平台等。
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五、科研成果2 G) {, F4 s( V. p3 E& q
, |2 ^- @* }) F& N中心在功率/射频器件与集成领域的顶级期刊、会议上累计发表学术论文超过1000篇，主办和协办多个域内顶级国际、国内会议，其中2013年以来中心在功率半导体全球最顶级的学术年会IEEE ISPSD上发表论文数居全球第一。% c" i* Y/ @) @; ^" g+ o
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近年来，中心先后承担国家重点研发计划、重大专项、973/173重点项目（课题）以及国家自然科学基金重点项目40余项，研究成果广泛应用于民口装备以及消费电子领域，获得国家级、省部级科技成果奖励30余项，培养出国家级杰出人才和青年人才近20人。与龙头企业华为、中兴、华润微电子、华虹宏力及中国电子科技集团各研究所等相关企业联合开发100余款量产功率/射频产品，广泛应用于汽车电子、工业控制等民用产品中，取得重大社会效益和突出经济效益。 |
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发表于 2025-3-21 19:18:54
