|
|

楼主 |
发表于 2025-4-26 22:30:51
来自手机
|
显示全部楼层
sasabcd 发表于 2025-4-26 20:414 G/ C% J" l3 h+ H6 Y. x, X: Z( F
他获奖项目应该是硅基的,属于集成电路芯片方向,不属于宽禁带 6 A) `* p% n$ O2 |' \, [* C, v
功率集成技术实验室具有代表性的重要研究成果或进展:+ d. l* o6 U( f
功率半导体是电能变换的心脏,更是节能减排和中国制造2025的关键和基础器件。团队提出功率高压MOS器件电荷平衡新理论,发明功率高压MOS衬底终端技术,提出多款低功耗功率器件新结构,研发出系列IGBT并部分量产;发明GaN混合阳极横向功率整流器,率先实现硅基GaN HFET与整流器单片集成,研制出国内首颗功率GaN驱动IC并量产;开发电荷调制终端新技术,拓展万伏级SiC功率器件设计方法;研发出系列功率集成电路产品;与企业合作创建多条量产先进工艺平台,促进“中国芯”制造;推动了中国功率半导体行业进步。 |
|