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发表于 2025-5-20 15:02:11
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本帖最后由 haiwangxing 于 2025-5-20 15:45 编辑 ) Y- ^6 Y* k9 m' \! H0 a
haiwangxing 发表于 2025-5-20 14:47
7 {5 G1 l8 P }, ^. n$ q( i电子材料四大金刚+张波+宫玉彬+李斌+张万里+程校+罗校等 这10位国奖大佬不是CIE会士，应该还是师承圈层吧 ...
; Z. N+ Q+ I5 E& k2000-2023国家科技奖励
- @+ A$ e X0 d) D6 x% u& R3 e D% W i; r/ s/ y1 b
1-复杂非均匀介质中场与波理论及其工程应用0 z, w0 ~$ _' V0 t
2002年国家科技进步二等奖
- s. I( v: ?4 C/ k6 v+ E- l聂在平、潘锦、杨峰、陈晓光、胡俊、张业荣、赵延文
1 r+ G2 ?0 f9 f$ w2-大面积单/双面YBC0高温超导薄膜的研制, ^+ `$ {: k$ e3 z5 q0 D; a- `5 }
2003年国家技术发明二等奖8 S8 {+ F4 h" M& S4 p# n% l
李言荣、刘兴钊、陶伯万
* r- `9 l% J$ D* ^& ?9 u纳米磁电信息功能材料
& N7 W1 l- z6 f9 X0 R1 k3 H3-2005年国家科技进步二等奖. \. M1 s8 U' x
张怀武，兰中文，刘颖力，余忠，钟志勇，苏桦，石玉，唐晓莉，贾利军，杨青慧/ B3 @* y' U1 p0 A; c: ? g
聚合物电极材料及其在电容器中的应用( D6 h) l" o- j4 ]5 @$ ^2 r
4-2007年国家科技进步二等奖
( m9 X" [; V5 o5 t蒋亚东，徐建华，唐先忠，杨亚杰，王涛，谢光忠，彭冬梅，方鸣，赵静波8 ~0 H0 \# m9 S7 f3 Z2 Y
5-电子聚合物薄膜XXX传感器技术
4 Q/ L9 `5 `, H6 r: L6 K2007年国家技术发明二等奖
; J: k# ^3 ]1 n& ]& O1 J! m3 ^, v% X 蒋亚东，吴志明，范茂军(中电49所)，李丹，谢光忠，唐祯安(大连理工大学) ; ?6 i: \9 U1 S- j3 o; Y% l
6-XXX铁电材料及其应用
* K' M6 V( ~- G2007年国家技术发明二等奖" Q9 m% x* O, b) ]) D- n% h4 w' h
李言荣、张万里、张树人、周晓华、陶佰万、钟朝位 s# [9 B1 p5 D }) z
7-低功耗铁氧体磁芯及新型节能磁性元器件5 X# D/ g% A- w [
2008年国家技术发明二等奖0 U" Z! |$ j( u6 A+ l* z; K t
张怀武、刘颖力、张瑞标、赵淳、苏桦、杨青慧
* r( ]* f8 n6 l. J8-XXX吸波材料及其在重大工程中的应用
! q2 |. K6 M0 a* H( {$ K2008年国家科技进步二等奖
E9 W2 G" f3 v* |, q5 B邓龙江、桑建华，谢建良，洪建胜，梁迪飞，周海，王力强，何枫，罗海林，陈良) i& ]7 O7 J' T( D$ P
9-XXX抗干扰高速数据传输技术及应用研究$ J0 Z) {/ o) l/ D8 `* K
2008年国家技术发明二等奖+ P4 y8 b& [( Y/ m6 h, R* @% D
李少谦、董彬虹、何旭、程郁凡、唐友喜
* P: |% | Y& j5 I10-新型功率半导体器件体内场关键技术与应用+ H3 a F% b: K) a
2010年国家科技进步二等奖2 n8 u7 x% a$ K4 {# ~# H; t1 r
张波，李泽宏，乔明，肖志强，方健，王卓，罗小蓉，杜秋平，卢世勇，李肇基5 g4 P6 X6 o1 \3 Q9 z
11-面向数字化医疗的医学图像关键技术研究与应用
3 @0 T. _3 Z$ k8 `) m$ G9 z% C# T陈雷霆，蒲立新，蔡洪斌，江捍平，余元龙，邱航，曹跃，卢光辉，刘煜岗，罗乐宣
( b2 b: T4 q; W1 o( q, y$ q2011年国家科技进步二等奖
( ]3 ^. E& A6 D# A9 c# [9 c12-XXX平台& s7 J$ A$ u8 y* d" z1 m1 t0 p, o' D
2012年国家科技进步二等奖, r; y1 Q) y$ X- ?5 D2 }' d
张小松、夏琦、陈瑞东、杨敏$ Y u4 ^! o% ?. |5 t0 W
13-XXX红外焦平面探测器技术) C( D1 B, i; X2 c
2012年国家技术发明二等奖
$ [0 Q2 [- J& Q3 ^2 A蒋亚东、吴志明、王涛、吕坚、袁凯、王军
! [: g0 E$ Q& [/ l8 {/ K14-宽带复杂信号实时捕获与合成技术( \' N( d7 T2 [+ F) _6 C5 G! e
2013年国家技术发明二等奖+ I2 D1 \5 \# U( w
田书林、王厚军、叶芃、刘科、曾浩、王志刚7 _: \% I* Q9 K4 m5 {9 r
15-XXX行波管关键技术及应用, @! N, h- r# ~) {$ ~
2014年国家科技进步二等奖
# Y$ i- ~/ t' }0 o( E) f李斌、杨中海，李建清，刘濮鲲，魏义学，苏小保，黄桃，胡权，胡玉禄，徐立
. G8 `. e, D0 A; ~! Z$ j16-高密度互连混合集成印制电路关键技术及产业化
1 p. B7 Q' [1 `( P- B2014年国家科技进步二等奖
1 W! z! |" B; V6 g% I- g张怀武，何为，胡永栓，王守绪，苏新虹唐晓莉，周国云，陶志华钟智勇，朱兴华
, L3 Z+ {' H7 c. G- u% s/ T17-XXX雷达成像探测技术
3 B" x. ?1 R! ~5 a) \2014年国家技术发明二等奖
8 _ }% T5 x& G, Z; G! f1 [杨晓波、孔令讲、杨建宇、殷光强、皮亦鸣、张征宇8 V: i6 r# C- Q
18-非制冷红外辐射热探测系统关键技术及应用3 I% _& W- O( A# {0 Z6 F$ V0 a
2015年国家科技进步二等奖
8 Y8 ^1 Q/ Y6 Z7 d蒋亚东，吴志明，王涛，李明锁，蒋城，顾德恩，刘子骥，郑兴赵凯生，沈建宏
z- U4 t. N( z/ r: }- X& t( A( v" D19-XXX航电网络关键技术
. K1 h. ~2 z& x: F2015年国家技术发明二等奖* r' e3 L" o2 S. f# v1 ] U
邱昆、胡钢、许渤、石林、凌云、张崇富
9 j, B: T6 m, ^7 [+ D' q20-飞行器XXX材料关键技术及应用% k* n- s( @6 s% c7 e
2015年国家技术发明二等奖
& E9 k$ t$ Z* v0 O. h, }1 A邓龙江、桑建华、谢建良、陆海鹏、周佩珩、何枫& h8 |# D- g) h7 E) o3 f. d* {; n! r
21-XXX真空电子器件关键技术及应用* ]8 x) n: N s- x
2016年国家技术发明二等奖
' z2 X& S& A2 z8 n/ ~7 h宫玉彬、魏彦玉、冯进军(中电12所)、包正强(77厂)、牛新建、岳玲娜
- [7 K' n1 Q4 [) O22-视网膜疾病基因致病机制研究及防治应用推广
c& v) M' m+ [4 }! C* h2016年国家科技进步二等奖
5 ~1 P* u$ F7 f+ v杨正林、张明、赵培泉、石毅、鲁芳、彭智培、杨季云、蔡力、苏智广、龚波
, v5 X4 ^- y- Y& G1 _+ Q- d( K23-XXX分布式多模态复杂计算关键技术研究及应用9 O5 m5 z- `! H* x, \4 ^0 l
2017年国家技术发明二等奖' Q L' r9 t4 s8 K
罗光春、殷光强、田玲、陈爱国、吴敏萍、李建
1 h! l6 ?; _+ R) ~24-XXXSR成像技术3 N2 m1 ~6 E, w8 { F( m1 V, ]
2017年国家技术发明二等奖
2 R3 l0 w. I) l2 T4 N$ Z( d# b9 C杨建宇，杨晓波，黄钰林，武俊杰杨海光李中余
4 H3 q' b4 y! b! D: ]1 t( Y25-敏感薄膜集成技术与应用
6 q: u1 b6 @: m: D0 v j2018年国家技术发明二等奖" F# I9 v) _- G+ Q" R' r
张万里，吴传贵，彭斌，李言荣，石小江(624),蒋洪川5 [- } J5 e- H. }
26-基于电磁辐射场成像的XXX检测方法与装置* k! t0 W1 P0 R: @0 R
2018年国家技术发明二等奖$ [7 B% `. Q; ^3 }" V, d
程玉华、叶芃、王厚军、田书林、刘震、黄建国
& V0 q6 h: Z! Z27-高磁导率磁性基板关键技术及产业化
9 G- I0 n* t+ m8 N9 t1 x2018年国家科技进步二等奖( I2 [) e7 v' _
邓龙江、梁迪飞、陈良、李维佳、谢海岩、张宏亮、阙智勇、李涛、刘华涛、李立忠
# @+ Y- D9 ]2 J C, c28-网络环境关键技术及应用
. \" g( Q* o: X- h9 t1 ?2019年国家科技进步一等奖5 i" K. f8 E& o/ _: t4 ?. o
张小松、牛伟纳、陈瑞东、李洪伟、鲁力3 k8 x U& [2 L* B$ C- D
29-XXX材料测试技术$ z2 r P* e% g% R
2019年国家科技进步二等奖
7 W, q- a+ |# |3 W- H李恩、周杨、张其劭) [$ r$ S& D5 [* i
30-XXX太赫兹成像关键技术
4 o4 K! |8 W0 t7 f: C2020年国家技术发明二等奖
7 H2 d6 N; T: ]* m9 W杨晓波、闵锐、张波、李晋、孔令讲、皮亦鸣" @7 [- k6 {) ]( i: F
31-面向电磁辐射散射一体化问题的高效建模方法、联合调控与设计技术
% h9 }" Y+ _( S2 A4 l, s! ^2023年国家技术发明二等奖" {8 Z8 |, e1 V4 G' I2 _
胡俊、陈益凯等。
# ?6 e* n2 b3 }9 H4 S+ T" }; [32-功率MOS与高压集成芯片关键技术及应用0 ^4 j) @7 o1 r8 j" |, t( x1 }
2023年国家科技进步二等奖
8 N8 v- L- q/ C7 ^* s" g3 {张波、乔明等。* A$ m8 o6 u1 _! [7 ~; T3 z
33-中华人民共和国国际科学技术合作奖。/ \7 H/ |. ^: Z1 z$ j8 C+ J. T
裴德乐6 J8 i/ U6 }0 U, [& K( e: x
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发表于 2025-5-18 21:45:10
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