|
|

楼主 |
发表于 2025-5-20 15:02:11
来自手机
|
显示全部楼层
本帖最后由 haiwangxing 于 2025-5-20 15:45 编辑
6 g) C$ H/ E% X9 P& K% Rhaiwangxing 发表于 2025-5-20 14:47
- i$ ^ P+ ^$ v2 Y3 L q电子材料四大金刚+张波+宫玉彬+李斌+张万里+程校+罗校等 这10位国奖大佬不是CIE会士,应该还是师承圈层吧 ...
" j5 P4 V# i% }( ?6 Y2000-2023国家科技奖励4 Z1 V" R, [, j/ u
^+ O" N5 I7 k# ]7 ~
1-复杂非均匀介质中场与波理论及其工程应用
X* x' }6 i- J) t' e/ a2002年国家科技进步二等奖6 w; N3 T+ a: R1 N7 l
聂在平、潘锦、杨峰、陈晓光、胡俊、张业荣、赵延文* W- U5 {! R8 D, J* L
2-大面积单/双面YBC0高温超导薄膜的研制
7 G! ?9 H$ N+ b4 @2003年国家技术发明二等奖
) N; ?' Z I3 f+ i李言荣、刘兴钊、陶伯万
8 a: J+ j$ V j! N7 H- o6 U纳米磁电信息功能材料/ h4 l! `5 _, F+ u# [' `0 M, C
3-2005年国家科技进步二等奖
0 X! L- F! n; D+ P8 ?: z T张怀武,兰中文,刘颖力,余忠,钟志勇,苏桦,石玉,唐晓莉,贾利军,杨青慧
9 A0 n4 a/ [ m# }1 A" T聚合物电极材料及其在电容器中的应用2 V0 Y# w# e5 T# u" a! F3 \7 P" {
4-2007年国家科技进步二等奖
" a8 G& h) H$ z2 `0 I4 z蒋亚东,徐建华,唐先忠,杨亚杰,王涛,谢光忠,彭冬梅,方鸣,赵静波 W6 D+ [ Y0 {, i3 `* E, _" \
5-电子聚合物薄膜XXX传感器技术$ Y- V4 F# v @ M9 I0 t
2007年国家技术发明二等奖8 ]6 v9 v/ J3 s; Z5 h. N+ `/ N
蒋亚东,吴志明,范茂军(中电49所),李丹,谢光忠,唐祯安(大连理工大学) 0 V' b8 D9 t: |+ O# M6 ?* V
6-XXX铁电材料及其应用
; u$ h$ O) L6 o" g2007年国家技术发明二等奖
6 Y1 @3 {5 M* t2 T- m6 X% I* t李言荣、张万里、张树人、周晓华、陶佰万、钟朝位: o( W# R' E& T) E
7-低功耗铁氧体磁芯及新型节能磁性元器件
' P3 M4 E( _% e, M0 ]; M2008年国家技术发明二等奖8 ^ r$ F+ w1 l( Q1 T6 x
张怀武、刘颖力、张瑞标、赵淳、苏桦、杨青慧
; q. s: q5 _+ k/ l; r( ?8-XXX吸波材料及其在重大工程中的应用
! z: L+ K$ b8 J2008年国家科技进步二等奖
7 k: M" C8 \5 M邓龙江、桑建华,谢建良,洪建胜,梁迪飞,周海,王力强,何枫,罗海林,陈良
" N- D4 g1 W+ U+ z9-XXX抗干扰高速数据传输技术及应用研究
% ]4 b0 R4 l3 ?- o& I2008年国家技术发明二等奖. L' I) c( c; C! \3 s" M7 `: @
李少谦、董彬虹、何旭、程郁凡、唐友喜
0 a# l' p; C3 _/ \9 [10-新型功率半导体器件体内场关键技术与应用
* s% K) l9 T4 F6 _3 x: n2010年国家科技进步二等奖
- D- M4 ~1 R' D% p3 Q/ w( D张波,李泽宏,乔明,肖志强,方健,王卓,罗小蓉,杜秋平,卢世勇,李肇基% z0 ~% D- Z! z: V' J5 v
11-面向数字化医疗的医学图像关键技术研究与应用- }$ J2 ]% m) d5 S+ G/ y
陈雷霆,蒲立新,蔡洪斌,江捍平,余元龙,邱航,曹跃,卢光辉,刘煜岗,罗乐宣. B1 Y" x) k0 j. I7 Z+ L6 B
2011年国家科技进步二等奖
9 H( h7 O/ Q; t" D. o1 Z3 F. O! k- \12-XXX平台3 P- Q) F' E4 j2 X: C4 Q% i
2012年国家科技进步二等奖% G2 e: @. G% I
张小松、夏琦、陈瑞东、杨敏
) V. `" U/ I# H( [7 t" Z3 Y13-XXX红外焦平面探测器技术
5 i3 T V" x) u6 k. x6 K: r; z2012年国家技术发明二等奖2 [& X5 N( m4 X& Q, s! G7 a
蒋亚东、吴志明、王涛、吕坚、袁凯、王军
& a8 @& u, J+ }( A2 A& x9 O14-宽带复杂信号实时捕获与合成技术
( a/ o7 n, O, a1 D" |4 q2013年国家技术发明二等奖
+ N9 R3 ^% W" P3 n田书林、王厚军、叶芃、刘科、曾浩、王志刚
/ Y! ]( g/ F: b L! G8 K! a4 h15-XXX行波管关键技术及应用
+ `! c+ g1 \1 i1 g, H2014年国家科技进步二等奖
: ^0 {* [0 h0 w x+ n/ d$ a李斌、杨中海,李建清,刘濮鲲,魏义学,苏小保,黄桃,胡权,胡玉禄,徐立/ r9 B& e$ E4 R, |
16-高密度互连混合集成印制电路关键技术及产业化0 _) ]9 h1 n5 ^) G/ P5 ^! L
2014年国家科技进步二等奖
' ^/ ]3 V1 c( n- i5 }4 K/ p# l张怀武,何为,胡永栓,王守绪,苏新虹唐晓莉,周国云,陶志华钟智勇,朱兴华
$ V( P! z8 e8 G' O% }' G( u17-XXX雷达成像探测技术
% ^5 e3 s# t2 [# o2014年国家技术发明二等奖
7 \8 R7 f- {) g: h1 O% J, F, y, i杨晓波、孔令讲、杨建宇、殷光强、皮亦鸣、张征宇
L% c0 c* v: c+ s& \18-非制冷红外辐射热探测系统关键技术及应用
& {5 M C( s' f5 q2015年国家科技进步二等奖
0 l% [6 Q. ]; P% p蒋亚东,吴志明,王涛,李明锁,蒋城,顾德恩,刘子骥,郑兴赵凯生,沈建宏
# _5 t2 u! j' y, n+ t% G19-XXX航电网络关键技术; F1 o+ f9 f! ?* ^- v
2015年国家技术发明二等奖0 w4 D& H% I8 e5 f
邱昆、胡钢、许渤、石林、凌云、张崇富 S9 s! C7 y5 e0 I/ U: u' Z7 P
20-飞行器XXX材料关键技术及应用
2 x' ?2 i! s* W) U) R2015年国家技术发明二等奖
7 [4 L" b9 b, z$ S9 k邓龙江、桑建华、谢建良、陆海鹏、周佩珩、何枫8 i; g1 c ^- R
21-XXX真空电子器件关键技术及应用
! q$ h5 S7 R! c9 z$ ^7 }2016年国家技术发明二等奖
- x8 b$ o: n/ K1 B9 Z宫玉彬、魏彦玉、冯进军(中电12所)、包正强(77厂)、牛新建、岳玲娜
* E3 L2 {. i$ i: E22-视网膜疾病基因致病机制研究及防治应用推广2 t# `2 s9 m, @/ r( w$ U" e
2016年国家科技进步二等奖9 U+ k8 h5 B r
杨正林、张明、赵培泉、石毅、鲁芳、彭智培、杨季云、蔡力、苏智广、龚波( Q8 v4 p A( n( {
23-XXX分布式多模态复杂计算关键技术研究及应用
9 y& P0 T. Y. V' F8 _3 K2017年国家技术发明二等奖! D5 b5 ~7 p! @
罗光春、殷光强、田玲、陈爱国、吴敏萍、李建5 `2 k, H: X9 Q
24-XXXSR成像技术
5 ?( F, _7 m5 ]; l3 u8 Q2017年国家技术发明二等奖
3 r. n/ C5 t8 y6 @. z3 J7 c杨建宇,杨晓波,黄钰林,武俊杰杨海光李中余
7 q+ n6 K% o% Q5 q2 M4 B3 R! {25-敏感薄膜集成技术与应用# |4 l# X6 |6 N8 O$ D
2018年国家技术发明二等奖0 f, R s; ]# o6 e3 G
张万里,吴传贵,彭斌,李言荣,石小江(624),蒋洪川
& \4 U7 m0 a. U( _26-基于电磁辐射场成像的XXX检测方法与装置3 M" z4 f1 S e$ u6 ?" X
2018年国家技术发明二等奖9 G8 ^+ X. {) t6 ]# Q
程玉华、叶芃、王厚军、田书林、刘震、黄建国
9 J, M* ^* N* z5 S* ]27-高磁导率磁性基板关键技术及产业化7 Q, p' L* F) j( R" ?
2018年国家科技进步二等奖
4 ]: O7 [2 R9 o% w6 Y邓龙江、梁迪飞、陈良、李维佳、谢海岩、张宏亮、阙智勇、李涛、刘华涛、李立忠4 x6 |9 J! ~8 [
28-网络环境关键技术及应用
: P5 e; |5 O9 j& F1 u0 I2019年国家科技进步一等奖7 ^2 n* ~. ~# X7 G; u; Y: @: D
张小松、牛伟纳、陈瑞东、李洪伟、鲁力
* O3 L2 Y* l, x; A2 y8 T8 D( E- i0 Z29-XXX材料测试技术
9 y" G- O3 f6 }+ d, Z k2019年国家科技进步二等奖* M% M! ]( A2 a# Y, |
李恩、周杨、张其劭* H" o$ i! ?" D# {" s6 T
30-XXX太赫兹成像关键技术
2 b# U) x4 D u: b2020年国家技术发明二等奖
. z/ T v( R$ d# s6 f2 g% |3 d杨晓波、闵锐、张波、李晋、孔令讲、皮亦鸣
8 _, A& z# x, |) N% a- p' l31-面向电磁辐射散射一体化问题的高效建模方法、联合调控与设计技术/ z Y) u! N- s% ^1 o' j6 b
2023年国家技术发明二等奖
/ [% `6 Q5 B9 }" |* s" B. g9 B胡俊、陈益凯等。5 |( Z9 K4 e' H) E
32-功率MOS与高压集成芯片关键技术及应用
) N/ { J4 M4 r7 U1 x; _2023年国家科技进步二等奖
: x5 ]% L" {; a4 u$ r$ _! |& W/ M张波、乔明等。
) O4 ]/ g5 D7 i8 Q1 ~" s33-中华人民共和国国际科学技术合作奖。
( N' Z, s- {: r# g; \% d裴德乐
8 X Q3 ~: i' n ]* O" e8 i |
|